崇文国产半导体清洗剂操作流程

来源：深圳市合明科技有限公司时间：2022-12-05 [举报]

器件和组件，比如POP、SIP、IG BT、PCBA，清洗主要是为了去除在焊接中所产生的焊剂或焊膏的残余物、污垢。要针对焊接所用的焊膏和锡膏的可清洗性进行水基清洗剂的选型和匹配，在常规工艺条件或者特定工艺条件下面进行测试，水基清洗剂能够将焊剂和焊膏残余物能够清除而达到干净度的要求。

匹配性很重要，既要考虑残留物的可清洗性，同时也要考虑水基清洗剂的清洗能力和力度。在预设的工艺条件下面，污垢能清除干净，才能达到首要的技术指标。

清洗剂在在线通过式清洗工艺中的性能稳定性，需要有相应的技术手段来进行监测和管控，以清洗性能的发挥或材料兼容性的稳定。在这些监测数据中，重要的是清洗剂的使用浓度可控范围之内，建议使用在线喷淋通过机的用户装配在线清洗剂浓度监测装置，以监测清洗剂在使用中的浓度变化。因为在线喷淋机的设备特性，在使用运行中，清洗剂的浓度变化比较大，如不能有效的监控清洗剂的浓度，将会产生材料兼容性方面的风险。一般来说，清洗剂在机内运行，随着时间的关系，浓度会升高，常规需要通过添加DI水来清洗剂的浓度稳定。使用在线浓度检测仪，可使用人工添加水和自动添加水的方式进行浓度控制。

清洗剂和漂洗水的泡沫。因为清洗剂和漂洗水在喷淋机中处在高温高压下运行，非常容易产生泡沫，泡沫过多影响机器的正常运行和状态观察。
所以，清洗剂的泡沫允许在一定范围而清洗机喷淋压力稳定，如果泡沫过多或者难以消除，清洗剂中含着的气泡和空气，会降低清洗喷淋压力，影响清洗效果。漂洗水的泡沫也值得关注，同样的道理，只要泡沫能够有效的排除，不影响清洗剂的工作状态和设备运行的观测。

BGA封装工艺流程

PBGA基板的制备

在BT树脂/玻璃芯板的两面压极薄（12-18um厚）的铜箔，然后进行钻孔和通孔金属化，通孔一般位于基板的四周；再用常规的PWB工艺（压膜、曝光、显影、蚀刻等）在基板的两面制作图形（导带、电极以及安装焊球的焊区阵列）；后形成介质阻焊膜并制作图形，露出电极及焊区。
封装工艺流程
圆片减薄→圆片切削→芯片粘结→清洗→引线键合→清洗→模塑封装→装配焊料球→回流焊→打标→分离→检查及测试→包装
芯片粘结：采用充银环氧树脂粘结剂（导电胶）将IC芯片粘结在镀有Ni-Au薄层的基板上
引线键合：粘结固化后用金丝球焊机将IC芯片上的焊区与基板上的镀Ni-Au的焊区以金线相连
模塑封装：用石英粉的环氧树脂模塑进行模塑包封，以保护芯片、焊接线及焊盘。
回流焊：固化之后，使用特设设计的吸拾工具（焊球自动拾放机）将浸有焊剂熔点为183℃、直径为30mil（0.75mm）的焊料球Sn62Pb36Ag2，或者Sn63Pb37放置在焊盘上，在传统的回流焊炉内在N2气氛下进行回流焊接（高加工温度不超过230℃），焊球与镀Ni-Au的基板焊区焊接。
装配焊球有两种方法：“球在上”和“球在下”



球在上：在基板上丝网印制焊膏，将印有焊膏的基板装在一个夹具上，用定位销将一个带筛孔的顶板与基板对准，把球放在顶板上，筛孔的中心距与阵列焊点的中心距相同，焊球通过孔对应落到基板焊区的焊膏上，多余的球则落入一个容器中。取下顶板后将部件送去再流，再流后进行清洗。



“球在下”：过程与“球在上”相反，先将一个带有以所需中心距排列的孔（直径小于焊球）的特殊夹具放在一个振动/摇动装置上，放入焊球，通过振动使球定位于各个孔，在焊球位置上印焊膏，再将基板对准放在印好的焊膏上，送去再流，之后进行清洗。



焊球的直径是0.76mm(30mil)或0.89mm(35mil)，PBGA焊球的成分为低熔点的63Sn37Pb(62Sn36Pb2Ag)。
常见的功率半导体器件有金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)、绝缘栅双极晶体管芯片(IGBT)及模块等。



电子设备正朝着高频、、高可靠、高功率和低成本的发展方向，相应的功率器件也要求高频、高可靠、低损耗和低成本。
目前主流的功率器件主要是MOSFET和IGBT。

日本ROHM公司在中国举办发布会，发布业界快trr性能的600V超级结MOSFET PrestoMOS系列。罗姆半导体（上海）有限公司设计中心经理水原德健对MOSFET和IGBT做了市场优劣势分析：

MOSFET优点是高频，可以工作到几百KHZ，甚至MHZ、10MHZ都没问题；缺点是不耐高压，在高压大电流场合功耗较大，1500W以上就没有优势了。IGBT优点是导通压降小，耐高压．功率可以达到5000W；弱点是开关频率大40—50KHz，开关损耗大。

MOSFET一般在较低功率应用及较高频应用（即功率）

罗姆的高耐压超级结MOSFET

功率元器件一般是由硅、碳化硅、氮化镓这三种材料做成，碳化硅和氮化镓是相对新的功率器件材料。而本次发布会介绍的产品——超级结MOSFET和PrestoMOS，是硅材料产品。

高压MOS在市场上应用很多，每个厂家对“高压MOS”定义不同，有的说200V以上是高压MOS，但比较普遍的认为是，500-600V以上的是高压MOS。市场上用的多的高压MOS也是600V，大概占到所有高压MOS的三分之二。

600V里又分为三类：600V标准型，大约占整个市场的三分之一左右；600V高速开关型，占三分之一左右；600V高速trr型，大约在市场上占7%。

从应用上，标准型和高速开关型主要是用在电源变压器上，高速trr产品主要应用在逆变上，600V之上有650V和800V的产品，主要在太阳能、电动汽车使用。再往上还有1200V和1500V的产品。

高压MOS从构造上分为两种，平面高压MOS，和纵向纵沟槽型高压MOS，也就是超级结MOSFET。

从2014年到2020年，MOS的整体需求量变化不大，但在需求结构上变化很大，平面MOS市场越来越变小，超级结MOSFET市场越来越大。

为什么会出现这样的变化呢？原因在于，客户在选择产品时有两个考量：性能和价格。性能上超级结MOS更节能；价格上第0代超级结MOS价格大约是平面MOS的接近2倍；第1代大约是1.5倍；现在超级结MOSFET已经进入第2代，将要与平面MOS的价格持平。

未来，超级结MOSFET还会推出第3代、第4代，芯片可以做的越来越小，比平面MOS来说价格有更大的优势，性能也有更大的增强，这就决定了平面MOS的市场会越来越小。

在这里还要提到罗姆的一个特产品，HybridMOS。什么是HybridMOS呢？刚刚已经介绍了IGBT和MOSFET的区别，IGBT是在大功率情况下节能，MOSFET是在低功率情况下节能。这就出现了一个问题。比如空调在正常运转的时候功率很低，也就1000W左右。但在刚启动时，要瞬间制冷、瞬间制热，会达到4000到6000W，中央空调会达到8000W。

同样一个产品，在低功率的时候也想让它节能，高功率的时候也想让它节能。但又不可能一个产品中同时用IGBT和MOSFET，如果用MOSFET在低功率时是节能的，但是在瞬间开始进行加热、制冷的时候又不是很节能。IGBT瞬间制冷，加热是很节能，但是正常运转的时候又很浪费能量，这是一个很烦恼的事情。

这个情况下，罗姆开发了HybridMOS。在低功率的时候我们采用了MOSFET的构造，在大功率的时候采用IGBT的优点。不管是瞬间制冷，瞬间制热，还是正常运转的时候，都使能量消耗更低。

由于同时拥有MOSFET构造，又拥有IGBT的特性，所以罗姆为该产品起名HybroidMOS，混合动力的意思。

标签：崇文国产半导体清洗剂,半导体清洗剂操作流程,朝阳半导体清洗剂,延庆销售半导体清洗剂责任编辑：许女士