产品别名 |
半导体清洗剂,芯片清洗剂,功率器件清洗剂,功率模块清洗剂 |
面向地区 |
全国 |
保质期 |
一年 |
类别 |
中性清洗液 |
合明科技摄像模组感光芯片CMOS晶片镜片清洗剂,LED芯片焊后助焊剂锡膏清洗剂、CMOS焊接后清洗剂、FPC电路板清洗剂、SMT元器件封装工艺清洗剂、微波组件助焊剂松香清洗剂、车用IGBT芯片封装水基清洗方案,SMT电子制程水基清洗全工艺解决方案,汽车用 IGBT芯片封装焊后清洗剂,IGBT芯片清洗剂,IGBT模块焊后锡膏清洗剂,IGBT功率半导体模块清洗,SMT锡膏回流焊后清洗剂,PCBA焊后水基清洗剂,系统封装CQFP器件焊后助焊剂清洗剂、SIP芯片焊后清洗剂、BMS电路板焊后清洗剂,半导体分立器件除助焊剂清洗液、半水基清洗剂、IGBT功率模块焊后锡膏水基清洗剂、PCB组件封装焊后水性环保清洗剂、SMT封装焊后清洗剂、精密电子清洗剂、半导体分立器件清洗剂、SMT焊接助焊剂清洗剂、锡嘴氧化物清洗剂、PCBA清洗剂、芯片封装焊后清洗剂、水性清洗剂、FPC清洗剂、BGA植球后清洗剂、球焊膏清洗剂、FPC电路板水基清洗剂、堆叠组装POP芯片清洗剂、油墨丝印网板水基清洗全工艺解决方案、BMS新能源汽车电池管理系统电路板制程工艺水基清洗解决方案、储能BMS电路板水基清洗剂、PCBA焊后助焊剂清洗剂、组件和基板除助焊剂中性水基清洗剂、功率电子除助焊剂水基清洗剂、功率模块/DCB、引线框架和分立器件除助焊剂水基清洗剂、封装及晶圆清洗水基清洗剂、倒装芯片水基清洗、SIP和CMOS芯片封装焊后清洗剂、SMT钢网、丝网和误印板清洗除锡膏、银浆、红胶,SMT印刷机网板底部擦拭水基清洗剂、焊接夹治具、回流焊冷凝器、过滤网、工具清洗除被焙烤后助焊剂和重油污垢清洗剂,电子组件制程水基清洗全工艺解决方案。
匹配性很重要,既要考虑残留物的可清洗性,同时也要考虑水基清洗剂的清洗能力和力度。在预设的工艺条件下面,污垢能清除干净,才能达到首要的技术指标。
清洗干净度的评价和评估。往往采取两个方式。一,裸眼经40~100倍的显微放大观察清洗物表面残余物的状况,以见不到残余物为评判依据。二,使用表面离子污染度检测方式对被清洗物表面进行检测,以检测的数据比照技术指标要求评价。在实际生产应用中,特别关注低托高,micro gap。
清洗剂在在线通过式清洗工艺中的性能稳定性,需要有相应的技术手段来进行监测和管控,以清洗性能的发挥或材料兼容性的稳定。在这些监测数据中,重要的是清洗剂的使用浓度可控范围之内,建议使用在线喷淋通过机的用户装配在线清洗剂浓度监测装置,以监测清洗剂在使用中的浓度变化。因为在线喷淋机的设备特性,在使用运行中,清洗剂的浓度变化比较大,如不能有效的监控清洗剂的浓度,将会产生材料兼容性方面的风险。一般来说,清洗剂在机内运行,随着时间的关系,浓度会升高,常规需要通过添加DI水来清洗剂的浓度稳定。使用在线浓度检测仪,可使用人工添加水和自动添加水的方式进行浓度控制。
往往用户会把清洗剂的浓度和寿命混为一谈,这两项技术指标分属不同的技术内容。寿命影响因素有清洗剂的选型、污垢的成分和在被清洗物上污垢的含量、设置的清洗温度和设备的损耗状况等等因素有关,所以说无法用一个简单固定的方式来评判清洗剂的寿命,需要在生产实际中累计数据,从而界定清洗剂的寿命。
清洗剂和漂洗水的泡沫。因为清洗剂和漂洗水在喷淋机中处在高温高压下运行,非常容易产生泡沫,泡沫过多影响机器的正常运行和状态观察。
所以,清洗剂的泡沫允许在一定范围而清洗机喷淋压力稳定,如果泡沫过多或者难以消除,清洗剂中含着的气泡和空气,会降低清洗喷淋压力,影响清洗效果。漂洗水的泡沫也值得关注,同样的道理,只要泡沫能够有效的排除,不影响清洗剂的工作状态和设备运行的观测。
系统级封装(system in package,SIP)是一种新型的封装技术,在IC封装领域,SIP是的封装。在ITRS2005中对SIP的定义是:“SIP是采用任何组合,将多个具有不同功能的有源电子器件与可选择的无源元件,以及诸如MEMS或者光学器件等其他器件,组装成为可以提供多种功能的单个标准封装件,形成一个系统或者子系统”。对于SIP而言,在单一的模块内需要集成不同的有源芯片和无源元件、非硅器件、MEMS元件甚至光电芯片等,更长远的目标则考虑在其中集成生物芯片等。目前在无线通讯领域内特别是在3G领域内,SIP是非常有潜力的技术。
在2DSiP结构中,芯片并排水平贴装在基板上的,贴装不受芯片尺寸大小的限制,工艺相对简单和成熟,但其封装面积相应地比较大,封装效率比较低。3DSiP可实现较高的封装效率,能大限度地发挥SiP的技术优势,是实现系统集成的为有效的技术途径,实际上涉及多种的封装技术,包括封装堆叠(PoP)、芯片堆叠(CoC)、硅通孔(TSV)、埋入式基板(Embedded Substrate)等,也涉及引线键合、倒装芯片、微凸点等其他封装工艺。3DSiP的基本概念正是将可能实现的多种功能集成于一个系统中,包括微处理器、存储器、模拟电路、电源转化模块、光电器件等,还可能将散热通道等部件也集成在封装中,大程度的体现SiP的技术优势。
系统级封装技术可以解决目前我们遇到的很多问题,其优势也是越来越明显,如产品设计的小型化、功能丰富化、产品可靠性等,产品制造也越来越,尤为重要的是,提高了生产效率,并大幅降低了生产成本。当然,难点也是存在的,系统级封装的实现,需要各节点所有技术,而不是某一技术所能实现的,这对封装企业来说,就需要有足够的封装技术积累及可靠的封装平台支撑,如高密度模组技术、晶圆级封装技术等。
IGBT 的导通和关断由栅-射极(即上图中源极)电压 UGE 控制。其工作原理是栅极电压 UGE 为正向电压且 大于开启电压时,IGBT 中的 MOSFET 部分形成沟道,提供基极电流,器件导通,IC和 UGE大部分保持线性; 而在栅极加零或负电压时,沟道消失,基极电流为 0,IGBT 关断。IGBT 导通电阻的降低是因为 PNPN 四层结 构带来的 PN 结电导调制效应。静态电气特性方面高栅-射极电压受大集电极电流限制,饱和区类似 MOS 结构特性有源区类似于晶体管特性,所以 IGBT 主要工作在饱和区(开)和正向阻断区(关);而动态电气特性 方面,器件导通需要经历栅极正向电压-基极电流产生-集电极电流产生的过程,故有两次延迟;器件关断时因为 没有反向基极电流抽取过量载流子,故只能通过集电极传导,形成拖尾电流。综上,IGBT 可以满足逆变的基本 需求,但开关速度、开关损耗等存在一定劣势。当前硅基 IGBT 系统的综合效率(以逆变器效率计)约 92%, 相比于其峰值效率仍有一定差距。