合明科技Unibright芯片清洗剂,海淀好用的半导体清洗剂规格

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系统级封装（system in package，SIP）是一种新型的封装技术，在IC封装领域，SIP是的封装。在ITRS2005中对SIP的定义是：“SIP是采用任何组合，将多个具有不同功能的有源电子器件与可选择的无源元件，以及诸如MEMS或者光学器件等其他器件，组装成为可以提供多种功能的单个标准封装件，形成一个系统或者子系统”。对于SIP而言，在单一的模块内需要集成不同的有源芯片和无源元件、非硅器件、MEMS元件甚至光电芯片等，更长远的目标则考虑在其中集成生物芯片等。目前在无线通讯领域内特别是在3G领域内，SIP是非常有潜力的技术。

SIP的应用



SIP是IC封装领域的的一种新型封装技术，目前已经被广泛应用在手机、蓝牙、Wi-Fi和交换机等无线通讯领域，在汽车电子、医疗电子、消费类电子、军事电子等领域内都有一定的市场。虽然当前其份额还不是很大，但已经成为一种人们关注和发展迅速的封装技术。


（1）无线通讯领域

SIP的应用领域比较广泛，在无线通讯应用与研究方面为。特别是在射频范围内SIP技术是一种理想的系统解决方案。其中，早商业化的SIP模块电路是手机中的功率放大器，这类模块中可集成多频功放、功率控制及收发转换开关等功能。

系统级封装SiP技术


SiP是半导体封装领域的的一种新型封装技术，将一个或多个IC芯片及被动元件整合在一个封装中，综合了现有的芯核资源和半导体生产工艺的优势。SiP是为整机系统小型化的需要，提高半导体功能和密度而发展起来的。SiP使用成熟的组装和互连技术，把各种集成电路如CMOS电路、GaAs电路、SiGe电路或者光电子器件、MEMS器件以及各类无源元件如电阻、电容、电感等集成到一个封装体内。


自从1960年代以来，集成电路的封装形式经历了从双列直插、四周扁平封装、焊球阵列封装和圆片级封装、芯片尺寸封装等阶段。而小型化、轻量化、、多功能、高可靠性和低成本的电子产品的总体发展趋势使得单一芯片上的晶体管数目不再是面临的主要挑战，而是要发展更的封装及时来满足产品轻、薄、短、小以及与系统整合的需求，这也使得在立的系统（芯片或者模块）内充分实现芯片的功能成为需要克服的障碍。这样的背景是SiP逐渐成为近年来集成电路研发机构和半导体厂商的研究对象。SiP作为一种全新的集成方法和封装技术，具有一系列特的技术优势，满足了当今电子产品更轻、更小和更薄的发展需求，在微电子领域具有广阔的应用市场和发展前景。

IGBT 的导通和关断由栅-射极（即上图中源极）电压 UGE 控制。其工作原理是栅极电压 UGE 为正向电压且 大于开启电压时，IGBT 中的 MOSFET 部分形成沟道，提供基极电流，器件导通，IC和 UGE大部分保持线性； 而在栅极加零或负电压时，沟道消失，基极电流为 0，IGBT 关断。IGBT 导通电阻的降低是因为 PNPN 四层结 构带来的 PN 结电导调制效应。静态电气特性方面高栅-射极电压受大集电极电流限制，饱和区类似 MOS 结构特性有源区类似于晶体管特性，所以 IGBT 主要工作在饱和区（开）和正向阻断区（关）；而动态电气特性 方面，器件导通需要经历栅极正向电压-基极电流产生-集电极电流产生的过程，故有两次延迟；器件关断时因为 没有反向基极电流抽取过量载流子，故只能通过集电极传导，形成拖尾电流。综上，IGBT 可以满足逆变的基本 需求，但开关速度、开关损耗等存在一定劣势。当前硅基 IGBT 系统的综合效率（以逆变器效率计）约 92%， 相比于其峰值效率仍有一定差距。
常见的功率半导体器件有金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)、绝缘栅双极晶体管芯片(IGBT)及模块等。



电子设备正朝着高频、、高可靠、高功率和低成本的发展方向，相应的功率器件也要求高频、高可靠、低损耗和低成本。
目前主流的功率器件主要是MOSFET和IGBT。

日本ROHM公司在中国举办发布会，发布业界快trr性能的600V超级结MOSFET PrestoMOS系列。罗姆半导体（上海）有限公司设计中心经理水原德健对MOSFET和IGBT做了市场优劣势分析：

MOSFET优点是高频，可以工作到几百KHZ，甚至MHZ、10MHZ都没问题；缺点是不耐高压，在高压大电流场合功耗较大，1500W以上就没有优势了。IGBT优点是导通压降小，耐高压．功率可以达到5000W；弱点是开关频率大40—50KHz，开关损耗大。

MOSFET一般在较低功率应用及较高频应用（即功率）

罗姆的高耐压超级结MOSFET

功率元器件一般是由硅、碳化硅、氮化镓这三种材料做成，碳化硅和氮化镓是相对新的功率器件材料。而本次发布会介绍的产品——超级结MOSFET和PrestoMOS，是硅材料产品。

高压MOS在市场上应用很多，每个厂家对“高压MOS”定义不同，有的说200V以上是高压MOS，但比较普遍的认为是，500-600V以上的是高压MOS。市场上用的多的高压MOS也是600V，大概占到所有高压MOS的三分之二。

600V里又分为三类：600V标准型，大约占整个市场的三分之一左右；600V高速开关型，占三分之一左右；600V高速trr型，大约在市场上占7%。

从应用上，标准型和高速开关型主要是用在电源变压器上，高速trr产品主要应用在逆变上，600V之上有650V和800V的产品，主要在太阳能、电动汽车使用。再往上还有1200V和1500V的产品。

高压MOS从构造上分为两种，平面高压MOS，和纵向纵沟槽型高压MOS，也就是超级结MOSFET。

从2014年到2020年，MOS的整体需求量变化不大，但在需求结构上变化很大，平面MOS市场越来越变小，超级结MOSFET市场越来越大。

为什么会出现这样的变化呢？原因在于，客户在选择产品时有两个考量：性能和价格。性能上超级结MOS更节能；价格上第0代超级结MOS价格大约是平面MOS的接近2倍；第1代大约是1.5倍；现在超级结MOSFET已经进入第2代，将要与平面MOS的价格持平。

未来，超级结MOSFET还会推出第3代、第4代，芯片可以做的越来越小，比平面MOS来说价格有更大的优势，性能也有更大的增强，这就决定了平面MOS的市场会越来越小。

在这里还要提到罗姆的一个特产品，HybridMOS。什么是HybridMOS呢？刚刚已经介绍了IGBT和MOSFET的区别，IGBT是在大功率情况下节能，MOSFET是在低功率情况下节能。这就出现了一个问题。比如空调在正常运转的时候功率很低，也就1000W左右。但在刚启动时，要瞬间制冷、瞬间制热，会达到4000到6000W，中央空调会达到8000W。

同样一个产品，在低功率的时候也想让它节能，高功率的时候也想让它节能。但又不可能一个产品中同时用IGBT和MOSFET，如果用MOSFET在低功率时是节能的，但是在瞬间开始进行加热、制冷的时候又不是很节能。IGBT瞬间制冷，加热是很节能，但是正常运转的时候又很浪费能量，这是一个很烦恼的事情。

这个情况下，罗姆开发了HybridMOS。在低功率的时候我们采用了MOSFET的构造，在大功率的时候采用IGBT的优点。不管是瞬间制冷，瞬间制热，还是正常运转的时候，都使能量消耗更低。

由于同时拥有MOSFET构造，又拥有IGBT的特性，所以罗姆为该产品起名HybroidMOS，混合动力的意思。